纵慧芯光50亿高端光通信芯片研发制造基地签约常州｜厂房
纵慧芯光50亿高端光通信芯片研发制造基地签约常州
8月11日上午，纵慧芯光高端光通信芯片及器件研发制造基地正式签约落户常州。该项目总投资约50亿元，将聚焦磷化铟高端激光芯片的研发与规模化量产，打造国内规模领先、技术一流的光芯片研发制造基地。
项目规模
总投资约 50 亿元
聚焦磷化铟高端激光芯片
打造国内领先光芯片研发制造基地
01项目概况：IDM模式光芯片龙头
江苏纵慧芯光半导体科技股份有限公司成立于2015年，凭借全流程自主知识产权体系，已成为国内少有的同时实现砷化镓和磷化铟光芯片规模化量产的IDM企业。公司深耕光芯片核心赛道，产品矩阵全面覆盖消费电子3D传感、车规级激光雷达及AI高速光通信。
此次签约项目将持续投入总计约50亿元，重点建设磷化铟高端激光芯片研发及量产产线，助推国内光通信核心芯片的国产化进程。
02常州半导体产业生态持续壮大
自2018年纵慧芯光落户武进国家高新区以来，在VCSEL芯片等化合物半导体领域持续突破，为常州集成电路产业发展作出了重要贡献。市委书记李佰平在见证签约时表示，希望企业以此次增资扩产为契机，加快关键核心技术攻关，吸引更多上下游企业集聚。
当前，全球AI算力与高速光通信产业迎来爆发式增长。常州正全力构建化合物半导体产业集群，纵慧芯光的扩产将为常州半导体产业提质升级注入强劲新动能。
03产业影响：AI与光通信双轮驱动
磷化铟激光器是AI算力集群内部高速光互联的核心器件，也是5G/6G前传网络的关键光芯片。纵慧芯光该项目的落地，将有力保障国内AI数据中心光互联芯片的自主供应，降低对进口高端光芯片的依赖。
随着AI大模型训练对算力需求的指数级增长，高速光模块及光芯片市场正在爆发。纵慧芯光常州基地将成为国内高端光芯片自主可控的重要支点。
项目亮点
纵慧芯光
国内IC设计企业，砷化镓+磷化铟IDM模式，产品覆盖3D传感/激光雷达/光通信
总投资50亿元
聚焦磷化铟高端激光芯片研发与规模化量产
常州武进
自2018年落户VCSEL持续突破，助力常州化合物半导体产业集群
结语
纵慧芯光常州基地的落地，标志着国内高端光通信芯片自主化迈出关键一步，也将为AI算力基建和高速光通信产业提供坚实的国产芯片支撑。
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